三星砸2,000億 NAND在陸擴產

經濟日報 記者簡永祥／台北報導

全球記憶體晶片龍頭三星電子將於未來三年斥資70億美元（約新台幣2,045億元），擴大中國西安廠區儲存型快閃記憶體（NAND Flash）產能，增幅約67%，新廠預計本月底動土。

三星新產能開出，將大幅增加市場供給、牽動報價走勢，若報價因而走跌，不利旺宏、威剛、創見等台灣相關廠商。

這是三星去年宣布增產DRAM之後，再次在記憶體晶片領域砸下重金擴產，為全球記憶體市場再次投下一顆震撼彈。

另東芝、美光等NAND晶片大廠也都同步擴充產能，以及大陸紫光集團旗下長江存儲產能明年大舉開出，都將牽動未來報價走勢，市場高度關注。

三星位於西安的記憶體廠，目前主力產品全為NAND Flash。三星規劃，將在本月底舉行新廠動土儀式，新廠完成後，西安NAND Flash月產能將由目前的12萬片增至20萬片，增幅 67%。

三星西安NAND Flash生產線，是三星極為重要的生產據點，這項擴建案一度因南韓部屬薩德飛彈系統事件，中國對南韓實施經濟制裁，導致南韓政府一度要求三星重新考慮在西安的投資，並以在南韓投資為優先而出現波折，但現在則順利進行。

三星當時為回應南韓政府的期許，也決定在南韓啟動晶圓代工事業和DRAM的投資，包括改裝南韓華城廠16號線，將原本生產2D NAND Flash改生產DRAM。另平澤廠也決定打造新DRAM產線，第一階段產能預定下半年開出。